[实用新型]一种TFT阵列基板及显示器件有效
| 申请号： | 201120433230.9 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN202332850U | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄炜赟;玄明花;高永益 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种TFT阵列基板及显示器件，在不减小像素电极开口率的情况，增大了TFT阵列基板的存储电容。TN模式的TFT阵列基板，其像素电极延伸至栅线上方；延伸至栅线上方的像素电极与其对应的栅线构成第一存储电容；公共电极线和像素电极构成第二存储电容。平面电场模式的TFT阵列基板，其像素电极延伸至栅线上方；延伸至栅线上方的像素电极与其对应的栅线构成第一存储电容；像素电极和公共电极构成第二存储电容。本实用新型用于显示技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种应用于TN模式的TFT阵列基板，包括栅线；公共电极线；栅绝缘层；半导体有源层；数据线、源极、漏极；以及与所述漏极连接的像素电极；其特征在于，所述像素电极延伸至所述栅线上方；所述延伸至栅线上方的像素电极与其对应的栅线构成第一存储电容；所述公共电极线和所述像素电极构成第二存储电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120433230.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种吹箭
- 下一篇：一种柱层析法制备高纯甘油磷脂酰乙醇胺的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
