[实用新型]一种TFT阵列基板及显示器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术，尤其涉及一种TFT阵列基板及显示器件。

背景技术

在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)像素设计中，存储电容是一个非常重要的电学参数，用于维持像素电压和控制显示画面闪烁的作用。

该存储电容的电容值C_st＝εs/4πkd，其中，ε表示电容两电极之间的介电常数，k表示静电力常数，d表示电容两电极之间的距离。ε、k为常数，当电容两电极之间的距离d也为常数时，为了增大存储电容的电容值，则需增大电容两电极之间的有效面积。

而增大电容两电极的有效面积，则会使得像素电极的开口率减小，影响液晶面板的显示效果。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种TFT阵列基板及显示器件，可以在不减小像素电极的开口率的情况下，增大阵列基板上像素的存储电容。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种应用于TN模式的TFT阵列基板，包括栅线；公共电极线；栅绝缘层；半导体有源层；数据线、源极、漏极；以及与所述漏极连接的像素电极；所述像素电极延伸至所述栅线上方；所述延伸至栅线上方的像素电极与其对应的栅线构成第一存储电容；所述公共电极线和所述像素电极构成第二存储电容。

进一步地，所述公共电极线和所述栅线位于同一层，或者所述公共电极线和所述数据线位于同一层。

进一步地，所述公共电极线沿所述像素电极的边缘设置。

一方面，提供一种显示器件，包括上述的TFT阵列基板。

一方面，提供一种应用于平面电场模式的TFT阵列基板，包括栅线、栅极；栅绝缘层；半导体有源层；公共电极；保护层；数据线、源极、漏极；以及与所述漏极连接的像素电极；所述像素电极延伸至所述栅线上方；所述延伸至栅线上方的像素电极与其对应的栅线构成第一存储电容；所述像素电极和所述公共电极构成第二存储电容。

进一步地，所述像素电极和/或所述公共电极为狭缝状。

一方面，提供一种显示器件，包括上述应用于平面电场模式的TFT阵列基板。

本实用新型实施例提供的TFT阵列基板及显示器件，像素电极延伸至栅线上方，与栅线构成第一存储电容，对于TN模式的TFT阵列基板，公共电极线和像素电极构成第二存储电容；对于平面电场模式的TFT阵列基板，公共电极和像素电极构成第二存储电容。使得无论哪种模式的TFT阵列基板的像素区域具有两个存储电容，这样在不减小原有像素电极开口率的情况下，可以增大阵列基板上的像素电极存储电容。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的TN模式的TFT阵列基板的结构示意图；

图2为图1的A-A向的剖视图；

图3为图1的B-B向的剖视图；

图4为本实用新型实施例提供的TN模式的TFT阵列基板的存储电容等效电路图；

图5为本实用新型实施例提供的超级平面电场转换模式的TFT阵列基板的结构示意图；

图6为图5的A-A向的剖视图；

图7为图5的B-B向的剖视图；

图8为本实用新型实施例提供的超级平面电场转换模式的TFT阵列基板的存储电容等效电路图；

图9为本实用新型实施例提供的高开口率平面电场模式的TFT阵列基板结构示意图；

图10为图9沿C-C向的剖视图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

下面通过图1-图4对本实用新型实施例提供的应用于TN模式的TFT阵列基板进行具体说明，图1为本实用新型提供的TFT阵列基板的结构示意图，图2、图3分别为沿图1的A-A、B-B向的剖视图。