[实用新型]一种高压发光二极管芯片有效

专利信息
申请号: 201120343669.2 申请日: 2011-09-14
公开(公告)号: CN202259303U 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 何建波;王汉华;易贤;杨新民;靳彩霞;董志江 申请(专利权)人: 武汉迪源光电科技有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型涉及一种高压发光二极管芯片,包括衬底层、过渡层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层和钝化层,所述衬底层和第一半导体层之间设置有过渡层,所述第一半导体层上依次设置有有源层和第二半导体层,所述第二半导体层上设置有透明导电层,其中,所述芯片上还刻蚀有沟槽,所述沟槽将芯片分割为多个相互隔离的单元,所述钝化层位于芯片的表面和侧面。本实用新型通过合理的设计发光二极管芯片,不仅有利于电流的均匀扩展,提高载流子的复合效率,增加光的提取,从而提高发光效率;另外本实用新型设计的芯片能够适应高压交直流的应用,能够节省变压器能量转换的损耗并降低成本。
搜索关键词: 一种 高压 发光二极管 芯片
【主权项】:
一种高压发光二极管芯片,包括衬底层、过渡层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层和钝化层,所述衬底层和第一半导体层之间设置有过渡层,所述第一半导体层上依次设置有有源层和第二半导体层,所述第二半导体层上设置有透明导电层,其特征在于,所述芯片上还刻蚀有沟槽,所述沟槽将芯片分割为多个相互隔离的单元,所述钝化层位于芯片的表面和侧面。
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