[实用新型]一种高压发光二极管芯片

权利要求书

1.一种高压发光二极管芯片，包括衬底层、过渡层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层和钝化层，所述衬底层和第一半导体层之间设置有过渡层，所述第一半导体层上依次设置有有源层和第二半导体层，所述第二半导体层上设置有透明导电层，其特征在于，所述芯片上还刻蚀有沟槽，所述沟槽将芯片分割为多个相互隔离的单元，所述钝化层位于芯片的表面和侧面。

2.根据权利要求1所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述沟槽刻蚀到衬底层上。

3.根据权利要求2所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述每个相互隔离的单元上均匀分布有设置在第二半导体层上的第二电极和沉积于第一半导体层上的第一电极，以及第一电极和第二电极之间的发光区域。

4.根据权利要求3所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述多个隔离的单元之间相互串联，其中上一个单元的第一电极与下一个单元的第二电极通过金属材料相互连接，形成一定的电流方向。

5.根据权利要求4所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述多个隔离的单元每个单元上的发光区域的面积均相等。

6.根据权利要求1至5任一项所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。

7.根据权利要求3至5任一项所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极为N电极，所述第二电极为P电极。

8.根据权利要求1至5任一项所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述高压发光二极管芯片为正方形，其边长为45mil。