[实用新型]发光二极管结构有效

专利信息
申请号: 201120330268.3 申请日: 2011-09-05
公开(公告)号: CN202205805U 公开(公告)日: 2012-04-25
发明(设计)人: 林志伟;蔡建九;陈凯轩 申请(专利权)人: 厦门乾照光电股份有限公司
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10;H01L33/00
代理公司: 厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 代理人: 方惠春
地址: 361000 福建省*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及发光二极管领域。发光二极管结构是:衬底下表面具有第一电极,外延结构形成于衬底的上表面,外延结构分别为反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层,第二电极形成于电流扩展层之上。其中,所述的反射层是由3组以上布拉格反射系统组成,每组布拉格反射系统中由3对以上的低折射率材料层、高折射率材料层交替的布拉格反射层组成,每组布拉格反射系统中布拉格反射层中的高折射率材料层的折射率自衬底以上每组依次是阶梯式递减。
搜索关键词: 发光二极管 结构
【主权项】:
发光二极管结构,衬底下表面具有第一电极,外延结构形成于衬底的上表面,外延结构分别为反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层,第二电极形成于电流扩展层之上,其特征在于:所述的反射层是由3组以上布拉格反射系统组成,每组布拉格反射系统中由3对以上的低折射率材料层、高折射率材料层交替的布拉格反射层组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司,未经厦门乾照光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120330268.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top