[实用新型]发光二极管结构有效
申请号: | 201120330268.3 | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN202205805U | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 林志伟;蔡建九;陈凯轩 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/00 |
代理公司: | 厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 | 代理人: | 方惠春 |
地址: | 361000 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型涉及发光二极管领域。发光二极管结构是:衬底下表面具有第一电极,外延结构形成于衬底的上表面,外延结构分别为反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层,第二电极形成于电流扩展层之上。其中,所述的反射层是由3组以上布拉格反射系统组成,每组布拉格反射系统中由3对以上的低折射率材料层、高折射率材料层交替的布拉格反射层组成,每组布拉格反射系统中布拉格反射层中的高折射率材料层的折射率自衬底以上每组依次是阶梯式递减。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】:
发光二极管结构,衬底下表面具有第一电极,外延结构形成于衬底的上表面,外延结构分别为反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层,第二电极形成于电流扩展层之上,其特征在于:所述的反射层是由3组以上布拉格反射系统组成,每组布拉格反射系统中由3对以上的低折射率材料层、高折射率材料层交替的布拉格反射层组成。
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