[实用新型]发光二极管结构

权利要求书

1.发光二极管结构，衬底下表面具有第一电极，外延结构形成于衬底的上表面，外延结构分别为反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上，其特征在于：所述的反射层是由3组以上布拉格反射系统组成，每组布拉格反射系统中由3对以上的低折射率材料层、高折射率材料层交替的布拉格反射层组成。

2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：所述的低折射率材料层的材料选自Al_yGa_1-yAs或（Al_yGa_1-y）_0.5In_0.5P，且1≥y>0.6；所述的高折射率的材料层的材料选自Al_xGa_1-xAs或（Al_xGa_1-x）_0.5In_0.5P，且0.6≥x≥0。

3.根据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于：所述的每组布拉格反射系统中布拉格反射层中的高折射率材料层的数值x自衬底以上每组依次是阶梯式递减0.01以上。

4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：所述的同一组布拉格反射系统中每对布拉格反射层中的高折射率材料层均是相同的，所有的布拉格反射系统的布拉格反射层中的低折射率材料层都是相同的；每组布拉格反射系统中布拉格反射层中的高折射率材料层的折射率自衬底以上每组依次是阶梯式递减。

5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：所述的每对布拉格反射层中的低折射率材料层、高折射率材料层还须满足：

低折射率材料层的膜厚度D₁=（2k+1）λ/（4n₁），其中k为≥0的正整数；

高折射率的材料层的膜厚度D₂=（2k+1）λ/（4n₂），其中k为≥0的正整数；

λ：需要反射光的波长（单位nm）；

n₁、n₂：材料层相对应需要反射的光的折射率，且n₁<n₂。