[实用新型]MTJ三轴磁场传感器有效
| 申请号： | 201120320031.7 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN202210145U | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 雷啸锋;张小军;黎伟;王建国;薛松生 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李艳 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MTJ三轴磁场传感器，敏感方向为X轴的X轴桥式磁场传感器、敏感方向为Y轴的Y轴桥式磁场传感器、敏感方向为Z轴的Z轴磁场传感器、与所述X轴桥式磁场传感器、所述Y轴桥式磁场传感器和所述Z轴磁场传感器相连接且适配的ASIC芯片，所述Z轴磁场传感器包括基片和制备在该基片上的MTJ元件，所述Z轴磁场传感器贴覆在ASIC芯片上形成一贴覆边，所述Z轴磁场传感器上与贴覆边相邻的侧边与该贴覆边形成一夹角，该夹角为锐角或钝角，其中X轴、Y轴和Z轴两两正交。本实用新型采用以上结构，集成度高，灵敏度更高，功耗更低，线性更好，动态范围更宽，温度特性更好，抗干扰能力更强。 | ||
| 搜索关键词： | mtj 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种MTJ三轴磁场传感器，其特征在于：敏感方向为X轴的X轴桥式磁场传感器、敏感方向为Y轴的Y轴桥式磁场传感器、敏感方向为Z轴的Z轴磁场传感器、与所述X轴桥式磁场传感器、所述Y轴桥式磁场传感器和所述Z轴磁场传感器相连接且适配的ASIC芯片，所述Z轴磁场传感器包括连接的磁传感芯片，所述磁传感芯片包括基片和制备在该基片上的MTJ元件，所述磁传感芯片贴覆在ASIC芯片上形成一贴覆边，所述磁传感芯片上与贴覆边相邻的侧边与该贴覆边形成一夹角，该夹角为锐角或钝角，其中X轴、Y轴和Z轴两两正交。
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