[实用新型]MTJ三轴磁场传感器

权利要求书

1.一种MTJ三轴磁场传感器，其特征在于：敏感方向为X轴的X轴桥式磁场传感器、敏感方向为Y轴的Y轴桥式磁场传感器、敏感方向为Z轴的Z轴磁场传感器、与所述X轴桥式磁场传感器、所述Y轴桥式磁场传感器和所述Z轴磁场传感器相连接且适配的ASIC芯片，所述Z轴磁场传感器包括连接的磁传感芯片，所述磁传感芯片包括基片和制备在该基片上的MTJ元件，所述磁传感芯片贴覆在ASIC芯片上形成一贴覆边，所述磁传感芯片上与贴覆边相邻的侧边与该贴覆边形成一夹角，该夹角为锐角或钝角，其中X轴、Y轴和Z轴两两正交。

2.根据权利要求1所述的MTJ三轴磁场传感器，其特征在于：所述X轴桥式磁场传感器为MTJ磁电阻传感器。

3.根据权利要求1所述的MTJ三轴磁场传感器，其特征在于：所述Y轴桥式磁场传感器为MTJ磁电阻传感器。

4.根据权利要求1所述的MTJ三轴磁场传感器，其特征在于：所述X轴桥式磁场传感器和所述Y轴桥式磁场传感器可通过金线与所述ASIC芯片相电连。

5.根据权利要求1所述的MTJ三轴磁场传感器，其特征在于：所述X轴桥式磁场传感器和所述Y轴桥式磁场传感器可通过锡焊球与所述ASIC芯片相电连。

6.根据权利要求1所述的MTJ三轴磁场传感器，其特征在于：所述X轴桥式磁场传感器和所述Y轴桥式磁场传感器集成设置在同一芯片上。

7.根据权利要求4所述的MTJ三轴磁场传感器，其特征在于：所述X轴桥式磁场传感器为参考桥式磁场传感器，所述Y轴桥式磁场传感器为推挽桥式磁场传感器。

8.根据权利要求1所述的MTJ三轴磁场传感器，其特征在于：所述磁传感芯片通过焊锡球与所述ASIC芯片相电连。

9.根据权利要求1所述的MTJ三轴磁场传感器，其特征在于：所述Z轴磁场传感器包括两个或四个MTJ磁传感芯片，所述MTJ磁传感芯片对称排布在ASIC芯片上。