[实用新型]具有介电帽层的无过孔薄膜电阻器有效
| 申请号： | 201120318224.9 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN202258597U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 林廷芳;牛成玉;O·勒内尔;C·梁 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司;意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C7/06;H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本实用新型涉及具有介电帽层的无过孔薄膜电阻器。本公开针对一种薄膜电阻器结构，其包括电连接相邻互连结构的第一导体层的电阻性元件。该电阻性元件被介电帽层覆盖，该介电帽层用作用于该电阻性元件的稳定器和散热器。每个互连包括在第一导电层之上的第二导体层。该薄膜电阻器包括被氮化硅帽层覆盖的铬硅电阻性元件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介电帽层 无过 薄膜 电阻器 | ||
【主权项】：
薄膜电阻器结构，其特征在于包括：在衬底之上的薄膜电阻器，所述薄膜电阻器具有小于200埃的厚度；以及在所述薄膜电阻器之上的介电帽层，所述介电帽层具有小于600埃的厚度。
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