[实用新型]具有介电帽层的无过孔薄膜电阻器

权利要求书

1.一种薄膜电阻器结构，其特征在于包括：

在衬底之上的薄膜电阻器，所述薄膜电阻器具有小于200埃的厚度；以及

在所述薄膜电阻器之上的介电帽层，所述介电帽层具有小于600埃的厚度。

2.根据权利要求1的薄膜电阻器结构，其特征在于所述薄膜电阻器是铬硅并且所述介电帽层是氮化硅。

3.根据权利要求1的薄膜电阻器结构，其特征在于所述薄膜电阻器将第一互连和第二互连的侧壁电连接在一起，所述第一互连在所述衬底之上与所述第二互连隔开。

4.根据权利要求1的薄膜电阻器结构，其特征在于所述薄膜电阻器具有在负的每摄氏度百万分之10和正的每摄氏度百万分之10范围内的电阻温度系数。

5.根据权利要求1的薄膜电阻器结构，其特征在于所述薄膜电阻器层形成在所述衬底之上的介电层上。

6.根据权利要求5的薄膜电阻器，其特征在于所述衬底之上的所述介电层是氮化硅。

7.根据权利要求5的薄膜电阻器，其特征在于所述衬底之上的所述介电层是二氧化硅。