[实用新型]大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片有效
| 申请号： | 201120307050.6 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN202178362U | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 郝敏 | 申请（专利权）人： | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片，其包括一9.55*6.35*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 氮化 陶瓷 100 30 db 衰减 | ||
【主权项】：
一种大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片，其特征在于：其包括一9.55*6.35*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。
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