[实用新型]大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种氮化铝陶瓷衰减片，特别涉及一种大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB的衰减片。

背景技术

目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地作出判断，对设备没有保护作用。衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率，而且能够抽取通信部件中部分信号，对基站进行实时监控，对设备有保护作用。

目前国内100W-30dB的氮化铝陶瓷衰减片的衰减精度大多只能做到1G频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制。而市场对衰减精度的要求很高，我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。目前市场上的衰减片当使用频段高于2G时，其衰减精度达不到要求，回波损耗变大，满足不了2G以上的频段应用要求。

目前国内的100W-30dB衰减片因为设计的原因，衰减精度达不到要求，并且抗高低温冲击性能差，当完成高低温冲击实验后，阻抗和衰减精度会偏出实际要求的范围。

实用新型内容

针对上述现有技术的不足，本实用新型要解决的技术问题是提供一种阻抗满足50±1.5Ω，在3G频段以内衰减精度为30±1dB，驻波要求输入端在1.2以内，输出端在1.25以内，能够满足目前3G网络的应用要求的大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

一种大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片，其包括一9.55*6.35*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。

优选的，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。

优选的，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。

上述技术方案具有如下有益效果：该大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片让衰减电路处于一个完全对称的状态，使得电路的稳定性得到提升，同时客户在使用时不需要刻意的区分输入端和输出端，极大的方便了客户，也减少了客户在生产中因为输入输出端焊接错误导致不良品的产生。同时这种设计尽可能增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

图1为本实用新型实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细介绍。

如图1所示，该大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片包括一9.55*6.35*1MM的氮化铝基板1，氮化铝基板1的背面印刷有背导层，氮化铝基板1的正面印刷有导线2及电阻R1、R2、R 3，电阻R1、R2、R3通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过银浆与背导层电连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿氮化铝基板的中心线对称，衰减电路的输出端与一焊盘5连接，输入端与一焊盘6连接，两个焊盘5、6沿氮化铝基板的中心线对称。电阻R1、R2、R3上印刷有玻璃保护膜3，导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，这样可对导线2及电阻R1、R2、R3形成保护。

该大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片要求输入端和接地的阻抗为50±1.5Ω，输出端和接地端的阻抗为50±1.5Ω。信号输入端进入衰减片，经过电阻R1、R3、R2对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号，输出端得到的信号大约为输入信号的千分之一。