[实用新型]一种新型等离子体增强化学气相沉积排气孔装置有效
| 申请号： | 201120291549.2 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN202246854U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 林坚;金若鹏 | 申请（专利权）人： | 浙江向日葵光能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人： | 张谦 |
| 地址： | 312071 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种新型等离子体增强化学气相沉积排气孔装置，属于等离子体镀膜领域，包括底部带有进气孔的排气帽，排气帽的壁体上设置有数个通孔。本实用新型能有效减少镀膜过程中排气孔堵塞问题，使排气孔不易堵塞，不仅有利于设备镀膜的问题，同时有利于减少设备维护时间，且设计简单，便于安装与更换。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 等离子体 增强 化学 沉积 气孔 装置 | ||
【主权项】：
一种新型等离子体增强化学气相沉积排气孔装置，其特征在于：包括底部带有进气孔的排气帽，排气帽的壁体上设置有数个通孔。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
