[实用新型]一种新型等离子体增强化学气相沉积排气孔装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种新型等离子体增强化学气相沉积排气孔装置，属于等离子体镀膜领域。

背景技术

在晶体硅太阳电池的制备过程中，氮化硅膜对太阳电池起钝化、减反射、保护发射区的作用，可提高太阳电池的光生电流，同时降低暗电流与提高开压，因此氮化硅薄膜制备工序在太阳电池工艺中起着较为重要的作用。 

氮化硅薄膜的制备方法很多，有直接氮化法，溅射法，热分解法，也可以在700～1000℃下由常压化学气相淀积法(APCVD)或者在750℃左右用低压化学气相淀积法(LPCVD)制得，但现在工业上和实验室一般使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来生成氮化硅薄膜。其中，PECVD又可以分为直接式PECVD和间接式PECVD。直接式PECVD中，基片位于电极之上，直接接触等离子体。间接式PECVD基片不接触激发电极。直接式PECVD镀膜效率较高，在近几年来得到了广泛的应用。但直接式PECVD镀膜设备需要经常维护，而设备维护时间的长短直接关系产线能否正常生产，因此，有必要缩短设备的维护时间，提高设备的实际生产时间。

在直接式PECVD镀膜设备维护过程中，对气孔的疏通往往耗费较长时间，这主要是由于产生等离子的气体排气孔在镀膜的过程中很容易阻塞。气孔堵塞的原因主要可分为两类，即设备本身的设计原因和设备运行中产生的原因。在设备设计上，由于镀膜时排气孔设计不易过大，且排气口直接与等离子体接触，这导致在镀膜一段时间后，氮化硅膜直接覆盖在小气孔上导致气孔堵塞，从而影响镀膜质量。此外，在设备运行过程中，脱落的基片容易盖住排气孔从而导致气孔堵塞。

发明内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种能有效减少镀膜过程中排气孔堵塞问题的新型等离子体增强化学气相沉积排气孔装置。

为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案为：

一种新型等离子体增强化学气相沉积排气孔装置，包括底部带有进气孔的排气帽，排气帽的壁体上设置有数个通孔。

作为上述方案的进一步设置，所述排气帽的顶部为封闭式结构。

所述排气帽呈圆柱形，进气孔设置在排气帽的下底面，通孔设置在排气帽的侧面。

所述通孔为网状结构。

    本实用新型一种新型等离子体增强化学气相沉积排气孔装置，以可拆卸式的方法安装在直接式PECVD镀膜设备的排气孔上，使进气孔与排气孔相对应，这样气体依次经排气孔、进气孔进入排气帽内，再通过排气帽的通孔排出。本实用新型能有效减少镀膜过程中排气孔堵塞问题，使排气孔不易堵塞，不仅有利于设备镀膜的问题，同时有利于减少设备维护时间，且设计简单，便于安装与更换。

以下结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为图1的仰视示意图。

具体实施方式

如图1、图2所示，本实用新型一种新型等离子体增强化学气相沉积排气孔装置，包括底部带有进气孔1的排气帽2，排气帽2的壁体上设置有数个通孔3，且通孔3为网状结构。排气帽2呈圆柱形，进气孔1设置在排气帽2的下底面，通孔3设置在排气帽2的侧面。排气帽2的顶部为封闭式结构。

本实用新型减少了排气孔与等离子体接触的几率，可减缓排气孔被堵塞的速度，延长镀膜设备的正常使用时间，同时能防止镀膜过程中异物覆盖排气孔。

上述实施例仅用于解释说明本实用新型的发明构思，而非对本实用新型权利保护的限定，凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动，均应落入本实用新型的保护范围。