[实用新型]一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置有效
申请号: | 201120242853.8 | 申请日: | 2011-07-11 |
公开(公告)号: | CN202139478U | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 肖金泉;张露;石南林;宫骏;孙超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | D06M11/83 | 分类号: | D06M11/83;D06M11/00;C23C14/35;C23C14/18 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术,具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置,一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜;一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题,实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室,工件转架置于磁控溅射真空室中,靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中,中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶材I相接,中频脉冲磁控溅射电源的阳极与靶材II相接。本实用新型通过调节磁控溅射装置中真空室内的气体流量、反应气体种类、溅射时间等,实现在连续SiC纤维表面沉积不同种类和不同厚度的金属或化合物薄膜,对SiC纤维进行表面改性。 | ||
搜索关键词: | 一种 sic 纤维 表面 沉积 薄膜 装置 | ||
【主权项】:
一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置,其特征在于,该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室,工件转架置于磁控溅射真空室中,靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中,中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶材I相接,中频脉冲磁控溅射电源的阳极与靶材II相接。
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D06 织物等的处理;洗涤;其他类不包括的柔性材料
D06M 对纤维、纱、线、织物、羽毛或由这些材料制成的纤维制品进行D06类内其他类目所不包括的处理
D06M11-00 用无机物或其配合物处理纤维、纱、线、织物或这些材料制成的纤维制品;和机械处理相结合的处理,如丝光
D06M11-01 .用氢、水或重水;用金属氢化物或其配合物;用硼烷、二硼烷、硅烷、二硅烷、膦、二膦、、二、胂、二胂或它们的配合物
D06M11-07 .用卤素;用氢卤酸或其盐,用氧化物或卤素的含氧酸或其盐
D06M11-32 .用氧、臭氧、臭氧化物、氧化物、氢氧化物或过化合物;从具有两性元素—氧键的阴离子衍生的盐
D06M11-51 .用硫、硒、碲、钋或其化合物
D06M11-58 .用氮或其化合物;如硝酸盐
D06M 对纤维、纱、线、织物、羽毛或由这些材料制成的纤维制品进行D06类内其他类目所不包括的处理
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