[实用新型]一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置

权利要求书

1.一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置，其特征在于，该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室，工件转架置于磁控溅射真空室中，靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中，中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶材I相接，中频脉冲磁控溅射电源的阳极与靶材II相接。

2.按照权利要求1所述的在SiC纤维表面沉积薄膜的装置，其特征在于，磁控溅射真空室内设置加热棒，磁控溅射真空室设有抽真空口、反应气体入口和溅射气体入口。

3.按照权利要求1所述的在SiC纤维表面沉积薄膜的装置，其特征在于，还设有偏压电源，偏压电源的阳极与真空室连接，偏压电源的阴极与磁控溅射工件转架连接。

4.按照权利要求1所述的在SiC纤维表面沉积薄膜的装置，其特征在于，靶材I、靶材II构成非平衡态磁场对靶，非平衡态磁场对靶设置为一对或一对以上，靶材I、靶材II之间的距离80mm～180mm。

5.按照权利要求1所述的在SiC纤维表面沉积薄膜的装置，其特征在于，工件转架包括工件转架上托盘、工件转架下托盘、带有刻槽的支撑杆，带有刻槽的支撑杆分别与工件转架上托盘、工件转架下托盘连接，工件转架上托盘、工件转架下托盘为圆盘形，带有刻槽的支撑杆沿工件转架上托盘、工件转架下托盘圆周均布，连续SiC纤维缠绕在工件转架支撑杆的刻槽上，刻槽深度为0.5～4毫米。

6.按照权利要求1所述的在SiC纤维表面沉积薄膜的装置，其特征在于，在磁控对靶内外层设置永磁体。