[实用新型]发射圆偏振光的LED芯片无效
| 申请号： | 201120238700.6 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN202120976U | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 邓朝勇;张荣芬;杨利忠;李绪诚;许铖 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 李亮;程新敏 |
| 地址： | 550003 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发射圆偏振光的LED芯片，包括衬底基片，在衬底基片上设有缓冲层，在缓冲层上设有非磁性或磁性的半导体底层，在半导体底层上设有发光层，在发光层上设有磁性半导体顶层，在磁性半导体顶层上设有透明电极层；在半导体底层及透明电极层上分别连接有底层电极及顶层电极；在外部设有露出底层电极及顶层电极顶面的钝化保护层。本实用新型采用在LED芯片pn结半导体层的材料中加入过渡金属的方法，使半导体层能为发光层提供极化的自旋载流子注入，这些极化的空穴或电子输运到发光层后与另一侧提供的未极化或极化的电子或空穴辐射复合，以实现LED芯片发出圆偏振光的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 偏振光 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种发射圆偏振光的LED芯片，包括衬底基片（1），其特征在于：在衬底基片（1）上设有缓冲层（2），在缓冲层（2）上设有非磁性或磁性的半导体底层（3），在半导体底层（3）上设有发光层（4），在发光层（4）上设有磁性半导体顶层（5），在磁性半导体顶层（5）上设有透明电极层（6）；在半导体底层（3）及透明电极层（6）上分别连接有底层电极（7）及顶层电极（8）；在外部设有露出底层电极（7）及顶层电极（8）顶面的钝化保护层（9）。
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