[实用新型]发射圆偏振光的LED芯片无效
| 申请号： | 201120238700.6 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN202120976U | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 邓朝勇;张荣芬;杨利忠;李绪诚;许铖 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 李亮;程新敏 |
| 地址： | 550003 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 偏振光 led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种发射圆偏振光的LED芯片，包括衬底基片（1），其特征在于：在衬底基片（1）上设有缓冲层（2），在缓冲层（2）上设有非磁性或磁性的半导体底层（3），在半导体底层（3）上设有发光层（4），在发光层（4）上设有磁性半导体顶层（5），在磁性半导体顶层（5）上设有透明电极层（6）；在半导体底层（3）及透明电极层（6）上分别连接有底层电极（7）及顶层电极（8）；在外部设有露出底层电极（7）及顶层电极（8）顶面的钝化保护层（9）。
2.根据权利要求1所述的发射圆偏振光的LED芯片，其特征在于：发光层（4）为发光层、量子阱、衬底图形化阵列生长的发光层、量子点发光层、纳米线发光层中的一种或几种的复合结构。
3.根据权利要求1所述的发射圆偏振光的LED芯片，其特征在于：半导体底层（3）及磁性半导体顶层（5）为n型层或p型层，它们的层型相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州大学，未经贵州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120238700.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：腔体器件及其谐振通道连接端口耦合结构
- 下一篇：光伏电池连接装置
