[实用新型]工序基座以及包括其的成膜装置有效
| 申请号： | 201120190227.9 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN202134519U | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 严琴 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/00;C23C14/50;C23C16/458 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种工序基座以及包括其的成膜装置，属于半导体制造设备技术领域。该工序基座包括：基座本体，以及设置于所述基座本体上的负压气道；其中，所述晶圆置于所述负压气道在基座本体的承载面的开口上，所述晶圆可操作地通过所述负压气道定位固定。因此，通过负压气道可以方便地定位固定承载于基座本体上的晶圆，避免了薄膜沉积工序过程中的滑片现象，并且还可以方便地监控晶圆是否滑片。 | ||
| 搜索关键词： | 工序 基座 以及 包括 装置 | ||
【主权项】：
一种工序基座，用于在薄膜沉积过程中承载晶圆，其特征在于，所述工序基座包括：基座本体；以及设置于所述基座本体上的负压气道；其中，所述晶圆置于所述负压气道在基座本体的承载面的开口上，所述晶圆可操作地通过所述负压气道定位固定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120190227.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：安装于受电弓底架上的气控箱
- 下一篇：一种汽车的混合动力系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
