[实用新型]工序基座以及包括其的成膜装置

说明书

技术领域

本实用新型半导体制造设备技术领域，涉及晶圆的成膜装置，尤其涉及成膜装置中的用于承载晶圆（wafer）的工序基座。

背景技术

    半导体芯片的制备过程中，薄膜沉积是必不可少的，例如，介质层的沉积。因此，半导体芯片生产线上，包括各种各样的成膜装置，例如，PVD（物理气相沉积）装置、CVD（化学气相沉积）装置等等。

    在成膜装置中，通常包括用于承载晶圆的工序基座，工序基座置于成膜装置的腔室中。薄膜沉积时，晶圆被置放于该工序基座上以实现晶圆的基本定位和固定。并且，通常地，一个晶圆需要在在某一成膜装置的腔室中经过多次成膜工序，或者，每次成膜工序中，将多片晶圆置于同一基座上分别完成该成膜工序。这样，符合半导体芯片制造的多工序、高效率的要求。

    图1所示为现有技术的工序基座的俯视图。如图1所示，在该实施例中，工序基座10置于成膜装置（图中未示出）的腔室中，其在薄膜沉积过程中用于承载晶圆。工序基座10包括基座本体110，基座本体110一般地为圆形平台，其可操作地被成膜装置的动力模块和控制模块（图中未示出）控制实现旋转。通过晶圆转移装置，例如机械手臂，可以将多片晶圆140置于该工序基座10上。工序基座10还包括上撑架120，上撑架120上设置多个上撑杆121，上撑架120设置于工序基座10的中心环位置，其可操作地上下运动，例如当向上运动时，可以带动嵌置于基座本体110的表面的沟槽中的上撑杆121向上运动，从而两个上撑杆121抬起基座本体110平面上的晶圆140。这样，在晶圆140需要从工序基座10上转移的时候（例如，成膜工序结束时），机械手臂可以方便地自动将晶圆转移。在该实例中，基座本体110上可以同时承载6片晶圆140，从而在6道薄膜沉积的工序过程中，通过转动工序基座10，可以将每个晶圆140依次置于预定的位置，进行薄膜沉积的工序，例如，依次实现6道薄膜乘积工序。并且，可以实现6个晶圆同批次地制备。

    因此，工序基座10旋转的过程中，可能会导致其上放置的晶圆滑动或者滑出预定的定位区域（例如，产生滑片现象）。于是，现有技术中，在工序基座10的基座本体110上设置多个定位栓130，定位栓130相对于基座本体110的承载面凸出设置，从而在工序基座10旋转时，可以阻挡晶圆因离心力而滑片，实现每个晶圆通过多个定位栓130基本地定位固定。

    使用这种定位固定方法时，必须可以控制机械手臂（或者其它晶圆转移装置）自动地将晶圆置放于定位栓130之间的区域，对机械手臂的走位精度要求高。但是，现有技术中，经常会存在机械手臂将晶圆置放于定位栓之上的情形，此时，不但晶圆可能会滑出基座本体110，还可能会导致晶圆置放不恰当，导致晶圆表面成膜异常。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，使晶圆可以方便准确地定位并固定于成膜装置的工序基座上。

为实现以上目的或者其它目的，本实用新型提供以下技术方案：

按照本实用新型的一方面，提供一种工序基座，用于在薄膜沉积过程中承载晶圆，所述工序基座包括：

基座本体；以及

设置于所述基座本体上的负压气道；

其中，所述晶圆置于所述负压气道在基座本体的承载面的开口上，所述晶圆可操作地通过所述负压气道定位固定。

按照本实用新型提供的工序基座的一实施例，其中，还包括设置于所述负压气道上的气压监测装置，所述气压监测装置用于监测所述负压气道的气压。

较佳地，所述负压气道为负压气孔或负压气槽。

较佳地，所述基座本体为圆形并可操作地旋转运动。

较佳地，所述工序基座还包括上撑架，所述上撑架设置于所述工序基座的中心环处。

较佳地，所述上撑架上设置有上撑杆，所述上撑杆可操作地抬起置于所述基座本体的承载面上的晶圆。

较佳地，所述负压气道在所述基座本体的承载面上等角度间距地分布。

较佳地，所述工序基座还包括设置于所述基座本体中的加热器。

按照本实用新型的又一方面，提供一种成膜装置，其包括设置于成膜装置的腔室中的、以上所述及的任意一种工序基座，其中，所述负压气道与所述成膜装置的负压源装置相连通。

本实用新型的技术效果是，通过在基座本体上设置负压气道来定位固定晶圆，操作方便并且准确，成功地避免了薄膜沉积工序过程中的滑片现象；并且还可以方便地监控晶圆是否滑片。

附图说明