[实用新型]一种垂直结构的发光器件有效
| 申请号： | 201120187976.6 | 申请日： | 2011-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN202134571U | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 曹建兴;王瑞珍;赖燃兴;周玉刚;肖国伟 | 申请（专利权）人： | 晶科电子（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 罗毅萍 |
| 地址： | 511458 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种垂直结构的发光器件，包括一LED芯片和一支撑衬底。该LED芯片自上而下依序包括N电极、N电极反射层、氮化镓N型层、量子阱、氮化镓P型层、P电极和芯片键合层，该N电极和N电极反射层的面积小于该氮化镓N型层的面积，该P电极和芯片键合层在对应N电极反射层正下方的投影区域具有一窗口，使该氮化镓P型层在该窗口处外露。该支撑衬底对应该窗口处具有一反射腔，该反射腔的底面具有一反光层。该LED芯片通过芯片键合层键合固定在该支撑衬底上，且底面具有使垂直于N电极反射层的入射光线经反射腔的底面反射后以非垂直于N电极反射层的角度射出的结构。本实用新型的发光器件具有高外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种垂直结构的发光器件，其特征在于：包括一LED芯片和一支撑衬底，该LED芯片包括自上而下依序层叠设置的N电极、N电极反射层、氮化镓N型层、量子阱、氮化镓P型层、P电极和芯片键合层，该N电极和N电极反射层的面积小于该氮化镓N型层的面积，该P电极和芯片键合层在对应N电极反射层正下方的投影区域具有一窗口，使该氮化镓P型层在该窗口处外露；该支撑衬底对应该窗口处具有一反射腔，该反射腔的底面具有一反光层；该LED芯片通过芯片键合层键合固定在该支撑衬底上，且该反射腔的底面具有使垂直于N电极反射层的入射光线经反射腔的底面反射后以非垂直于N电极反射层的角度射出的结构。
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