[实用新型]一种垂直结构的发光器件

权利要求书

1.一种垂直结构的发光器件，其特征在于：包括一LED芯片和一支撑衬底，该LED芯片包括自上而下依序层叠设置的N电极、N电极反射层、氮化镓N型层、量子阱、氮化镓P型层、P电极和芯片键合层，该N电极和N电极反射层的面积小于该氮化镓N型层的面积，该P电极和芯片键合层在对应N电极反射层正下方的投影区域具有一窗口，使该氮化镓P型层在该窗口处外露；该支撑衬底对应该窗口处具有一反射腔，该反射腔的底面具有一反光层；该LED芯片通过芯片键合层键合固定在该支撑衬底上，且该反射腔的底面具有使垂直于N电极反射层的入射光线经反射腔的底面反射后以非垂直于N电极反射层的角度射出的结构。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：该反射腔的底面为与该N电极反射层非平行的平面，或者该反射腔的底面为曲面，或者该反射腔的底面为与该N电极反射层平行的平面且表面粗糙。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于：该反射腔的底面剖面为弧形、或波浪形、或锯齿形、或倒三角形。

4.根据权利要求2或3所述的发光器件，其特征在于：该反射腔的底面还包括阵列凸起或粗糙的平面结构。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：该反射腔和窗口内填充有高阻透明填充体。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：在氮化镓N型层的上表面设置有多条N电极反射层，该多条N电极反射层相交于一交点且相邻的N电极反射层之间的角度相等，N电极设置在N电极反射层的交点上表面，该反射腔设置在对应多条N电极反射层正下方的投影区域。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：还包括一衬底键合层，该LED芯片的芯片键合层键合固定在该衬底键合层上。