[实用新型]射频识别中的混频器有效
| 申请号： | 201120149366.7 | 申请日： | 2011-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN202026277U | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 马和良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | H03D7/16 | 分类号： | H03D7/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 朱群英 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种射频识别中的混频器，包括尾电流源电路、跨导级电路、开关级电路、谐波抑制电路和负载电路。其为在原有的混频器上，在跨导管的漏极增加谐波抑制的晶体管对，使得跨导管的漏极电压和流过跨导管的电路相对稳定，因此获得较高的增益和较低的噪声系数。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 识别 中的 混频器 | ||
【主权项】：
一种射频识别中的混频器，包括尾电流源电路、跨导级电路、开关级电路和负载电路，其特征在于：所述混频器还包括由第八NMOS晶体管(M8)和第九NMOS晶体管(M9)组成的谐波抑制电路；所述开关级电路包括第四NMOS晶体管(M4)、第五NMOS晶体管(M5)、第六NMOS晶体管(M6)和第七NMOS晶体管(M7)；所述第四NMOS晶体管的栅极连接本征信号的正输入端，所述第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管的栅极互连并接本征信号的负输入端，所述第七NMOS晶体管的栅极接本征信号的正输入端；所述第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管的源极接所述跨导级电路中栅极接射频信号正输入端的那个NMOS晶体管的漏极，所述第六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管的源极接所述跨导级电路中栅极接射频信号负输入端的那个NMOS晶体管的漏极，所述第四NMOS晶体管和所述第六NMOS晶体管的漏极互连，所述第五NMOS晶体管和所述第七NMOS晶体管的漏极互连；所述第八NMOS晶体管和第九NMOS晶体管的栅极互连，用于输入第二偏置电压，并通过第三电容(C3)接地；所述第八NMOS晶体管的源极接至所述第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管的源极，漏极接至所述第五NMOS晶体管和所述第七NMOS晶体管的漏极，并连接至负载电路；所述第九NMOS晶体管的源极接至所述第六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管的源极，漏极接至所述第四NMOS晶体管和所述第六NMOS晶体管的漏极，并连接至负载电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹集成电路有限责任公司，未经上海华虹集成电路有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120149366.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：手机防盗装置
- 下一篇：一种适用于大电流输出电化学工业电源的输出滤波电路
