[实用新型]射频识别中的混频器

权利要求书

1.一种射频识别中的混频器，包括尾电流源电路、跨导级电路、开关级电路和负载电路，其特征在于：

所述混频器还包括由第八NMOS晶体管(M8)和第九NMOS晶体管(M9)组成的谐波抑制电路；

所述开关级电路包括第四NMOS晶体管(M4)、第五NMOS晶体管(M5)、第六NMOS晶体管(M6)和第七NMOS晶体管(M7)；所述第四NMOS晶体管的栅极连接本征信号的正输入端，所述第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管的栅极互连并接本征信号的负输入端，所述第七NMOS晶体管的栅极接本征信号的正输入端；所述第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管的源极接所述跨导级电路中栅极接射频信号正输入端的那个NMOS晶体管的漏极，所述第六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管的源极接所述跨导级电路中栅极接射频信号负输入端的那个NMOS晶体管的漏极，所述第四NMOS晶体管和所述第六NMOS晶体管的漏极互连，所述第五NMOS晶体管和所述第七NMOS晶体管的漏极互连；

所述第八NMOS晶体管和第九NMOS晶体管的栅极互连，用于输入第二偏置电压，并通过第三电容(C3)接地；所述第八NMOS晶体管的源极接至所述第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管的源极，漏极接至所述第五NMOS晶体管和所述第七NMOS晶体管的漏极，并连接至负载电路；所述第九NMOS晶体管的源极接至所述第六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管的源极，漏极接至所述第四NMOS晶体管和所述第六NMOS晶体管的漏极，并连接至负载电路。

2.如权利要求1所述的混频器，其特征在于：

所述尾电流源电路包括第一NMOS晶体管(M1)，所述第一NMOS晶体管的栅极输入第一偏置电压，源极接地；

所述跨导级电路包括第二NMOS晶体管(M2)和第三NMOS晶体管(M3)，所述第二NMOS晶体管和所述第三NMOS晶体管的源极均连接至所述第一NMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管的栅极接射频信号正输入端，所述第三NMOS晶体管的栅极接射频信号负输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极接第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管的源极，所述第三NMOS晶体管的漏极接第六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管的源极；

所述负载电路包括第一电容(C1)和第一电阻(R1)，第二电容(C2)和第二电阻(R2)；所述第一电容的一端和第一电阻的一端互连并连接至第九NMOS晶体管的漏极，所述第一电容的另一端接中频信号正输入端，所述第一电阻的另一端接电源电压；所述第二电容的一端和第二电阻的一端互连并连接至第八NMOS晶体管的漏极，所述第二电容的另一端接中频信号负输入端，所述第二电阻的另一端接电源电压。