[实用新型]单片参考全桥磁场传感器有效
| 申请号： | 201120118714.4 | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN202210144U | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋;薛松生;王建国;雷啸锋 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单片参考全桥磁场传感器，该磁场传感器是一种由磁电阻参考元件和传感元件组成的惠斯通全桥，感应臂和参考臂都是采用磁隧道结电阻或巨磁电阻材料。在本实用新型中，传感元件和参考元件的灵敏度是通过控制一个或一组磁偏置组合，交换偏置，磁屏蔽或形状各向异性能来进行调节的。此外，还可以通过预先设定调整参考元件和传感元件的阻值比来优化电桥输出偏移和对称性。通过使用该技术，该磁场传感器展现出了卓越的温度稳定性，低偏移电压以及优异的电压对称性。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 参考 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种单片参考全桥磁场传感器，其特征在于：包括两个参考臂和两个感应臂，所述两个参考臂和两个感应臂相间隔连接以形成一全桥，所述参考臂和所述感应臂由一个或多个MTJ或GMR磁电阻元件构成；所述MTJ或GMR磁电阻元件是利用其输出曲线的线性部分来感应磁场；该磁场传感器还包括一设置在所述参考臂和所述感应臂周边的用于调整该磁场传感器自身的磁化强度和敏感方向的角度的磁体；该磁场传感器的焊盘可以通过引线连接到ASIC集成电路或引线框的封装引脚上。
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