[实用新型]单片参考全桥磁场传感器

权利要求书

1.一种单片参考全桥磁场传感器，其特征在于：包括两个参考臂和两个感应臂，所述两个参考臂和两个感应臂相间隔连接以形成一全桥，所述参考臂和所述感应臂由一个或多个MTJ或GMR磁电阻元件构成；所述MTJ或GMR磁电阻元件是利用其输出曲线的线性部分来感应磁场；该磁场传感器还包括一设置在所述参考臂和所述感应臂周边的用于调整该磁场传感器自身的磁化强度和敏感方向的角度的磁体；该磁场传感器的焊盘可以通过引线连接到ASIC集成电路或引线框的封装引脚上。

2.如权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于：所述参考臂和所述感应臂采用相同工艺步骤制备以提高温度的稳定性和元件的一致性。

3.如权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于：所述参考臂包括一个或多个磁电阻元件相串联以调节参考臂的阻值，所述感应臂包括一个或多个磁电阻元件相串联以调节感应臂的阻值，所述参考臂和所述感应臂的阻值比可以通过设置不同数量的磁电阻元件调节。

4.如权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于：所述构成参考臂的磁电阻元件比所述构成感应臂的磁电阻元件更加细长。

5.如权利要求1或4所述的磁场传感器，其特征在于：该磁场传感器还包括一包覆住构成参考臂的磁电阻元件的屏蔽层，所述屏蔽层为高磁导率的铁磁材料。

6.如权利要求5所述的磁场传感器，其特征在于：该磁场传感器设置在所述构成感应臂的磁电阻元件周边的高磁导率的铁磁材料以增大外场。

7.一种单片参考全桥磁场传感器，其特征在于：包括两个参考臂和两个感应臂，所述两个参考臂和两个感应臂相间隔连接以形成一全桥，所述参考臂和所述感应臂由一个或多个MTJ或GMR磁电阻元件构成；所述MTJ或GMR磁电阻元件是利用其输出曲线的线性部分来感应磁场；所述构成参考臂的磁电阻元件比所述构成感应臂的磁电阻元件更加细长；该磁场传感器的焊盘可以通过引线连接到ASIC集成电路或引线框的封装引脚上。

8.如权利要求7所述的磁场传感器，其特征在于：所述参考臂和所述感应臂采用相同工艺步骤制备以提高温度的稳定性和元件的一致性。

9.如权利要求7所述的磁场传感器，其特征在于：所述参考臂包括一个或多个磁电阻元件相串联以调节参考臂的阻值，所述感应臂包括一个或多个磁电阻元件相串联以调节感应臂的阻值，所述参考臂和所述感应臂的阻值比可以通过设置不同数量的磁电阻元件调节。

10.如权利要求7所述的磁场传感器，其特征在于：该磁场传感器还包括一包覆住构成参考臂的磁电阻元件的屏蔽层，所述屏蔽层为高磁导率的铁磁材料。

11.如权利要求10所述的磁场传感器，其特征在于：该磁场传感器还包括设置在所述构成感应臂的磁电阻元件周边的高磁导率的铁磁材料以增大外场。

12.一种单片参考全桥磁场传感器，其特征在于：包括两个参考臂和两个感应臂，所述两个参考臂和两个感应臂相间隔连接以形成一全桥，每个桥臂电阻由一个或多个MTJ或GMR磁电阻元件构成；所述MTJ或GMR磁电阻元件是利用其输出曲线的线性部分来感应磁场；该磁场传感器还包括一包覆住构成参考臂的磁电阻元件的屏蔽层，所述屏蔽层为高磁导率的铁磁材料；该磁场传感器的焊盘可以通过引线连接到ASIC集成电路或引线框的封装引脚上。

13.、如权利要求12所述的磁场传感器，其特征在于：所述参考臂包括一个或多个磁电阻元件相串联以调节参考臂的阻值，所述感应臂包括一个或多个磁电阻元件相串联以调节感应臂的阻值，所述参考臂和所述感应臂的阻值比可以通过设置不同数量的磁电阻元件调节。

14.如权利要求12所述的磁场传感器，其特征在于：该磁场传感器还包括设置在所述构成感应臂的磁电阻元件周边的高磁导率的铁磁材料以增大外场。