[实用新型]永磁发电机专用高结温低压降可控硅芯片有效
| 申请号: | 201120112934.6 | 申请日: | 2011-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN202150460U | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
| 发明(设计)人: | 程德明 | 申请(专利权)人: | 程德明 |
| 主分类号: | H01L29/74 | 分类号: | H01L29/74;H01L29/06;H01L29/08;H02P9/30 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 245600 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | 本实用新型提供了一种永磁发电机电压调节器专用的高结温低压降可控硅芯片。采用1~5欧姆厘米的N型硅材料和二倍空穴扩散长度的隔离基区结构,使产品的额定结温达到≥180度;采用厚度为200±20微米的硅片和双负角台面工艺结构,使产品的峰值压降达到≤1.0伏。其额定结温和峰值压降二项重要特性指标处于国内领先水平。 | ||
| 搜索关键词: | 永磁 发电机 专用 高结温 低压 可控硅 芯片 | ||
【主权项】:
一种永磁发电机专用高结温低压降可控硅芯片,其特征在于:所述可控硅芯片采用电阻率1~5欧姆厘米、厚度200±20微米的N型硅片,芯片边缘采用双负角台面结构,由阳电极、阴电极、门电极和绝缘保护胶共同组成产品实体。
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