[实用新型]永磁发电机专用高结温低压降可控硅芯片有效
| 申请号： | 201120112934.6 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN202150460U | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 程德明 | 申请（专利权）人： | 程德明 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L29/08;H02P9/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 245600 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 永磁 发电机 专用 高结温 低压 可控硅 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种永磁发电机专用高结温低压降可控硅芯片，其特征在于：所述可控硅芯片采用电阻率1～5欧姆厘米、厚度200±20微米的N型硅片，芯片边缘采用双负角台面结构，由阳电极、阴电极、门电极和绝缘保护胶共同组成产品实体。
2.根据权利要求1所述的永磁发电机专用高结温低压降可控硅芯片，其特征在于：所述可控硅芯片，其外边缘形状可以是园形、正方形、长方形或椭园形。
3.根据权利要求1所述的永磁发电机专用高结温低压降可控硅芯片，其特征在于：所述可控硅芯片边缘双负角台面结构，阴极面上负角与阳极面上负角，角度和角边宽对应相同，角度为3.5～4.5度，角边宽为0.8～1.0毫米。
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