[实用新型]耐高温大功率晶闸管

摘要

本实用新型公开了一种耐高温大功率晶闸管，旨在提供一种结温高、承受的电流密度大的耐高温大功率晶闸管。它包括管壳和封装在管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片，半导体芯片包括依次叠加的阳极钼片、P+高浓度区、P1阳极发射区、N1长基区、P2短基区、N2阴极发射区，N1长基区厚度大于100μm。本实用新型相对现有产品具有较厚的基区，从而减弱电场，达到减少漂移电流，避免阳极电流增大致使晶闸管误开通的目的；而高浓度P+区的加入利于基区少子注入，加强了电导调制效应，明显降低压降和功耗，同时可以有效阻止空间电荷区的扩展，解决了压降增大和降低工作电压两个问题，提高器件的结温和单位面积的电流密度。

主权项

一种耐高温大功率晶闸管，包括管壳和封装在管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片，所述半导体芯片包括依次叠加的阳极钼片、P1阳极发射区、N1长基区、P2短基区、N2阴极发射区，其特征在于，所述N1长基区厚度大于100μm，所述耐高温大功率晶闸管还包括一层P+高浓度区，所述P+高浓度区位于所述P1阳极发射区和所述阳极钼片之间，所述阳极钼片通过所述P+高浓度区连接所述P1阳极发射区。