[实用新型]耐高温大功率晶闸管无效
| 申请号： | 201120077992.X | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN202042486U | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 项卫光;徐伟;李有康;李晓明 | 申请（专利权）人： | 浙江正邦电力电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/08 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 林宝堂 |
| 地址： | 321400 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耐高温 大功率 晶闸管 | ||
【权利要求书】：
1.一种耐高温大功率晶闸管，包括管壳和封装在管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片，所述半导体芯片包括依次叠加的阳极钼片、P1阳极发射区、N1长基区、P2短基区、N2阴极发射区，其特征在于，所述N1长基区厚度大于100μm，所述耐高温大功率晶闸管还包括一层P+高浓度区，所述P+高浓度区位于所述P1阳极发射区和所述阳极钼片之间，所述阳极钼片通过所述P+高浓度区连接所述P1阳极发射区。
2.根据权利要求1所述的耐高温大功率晶闸管，其特征在于，所述P+高浓度区表面浓度为2-3Ω/□。
3.根据权利要求1或2所述的耐高温大功率晶闸管，其特征在于，所述P+高浓度区厚度为3～8μm。
4.根据权利要求1或2所述的耐高温大功率晶闸管，其特征在于，所述P+高浓度区杂质为硼。
5.根据权利要求3所述的耐高温大功率晶闸管，其特征在于，所述P+高浓度区杂质为硼。
6.根据权利要求1所述的耐高温大功率晶闸管，其特征在于，所述P1阳极发射区厚度小于70μm。
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