[实用新型]TFT阵列基板有效
| 申请号： | 201120001110.1 | 申请日： | 2011-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN201909924U | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 徐永先;冷长林 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 张丽荣 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例公开了一种TFT阵列基板，涉及显示设备技术领域，解决了液晶电容和存储电容充电不够充分的问题。本实用新型实施例TFT阵列基板每行像素单元还包括至少一组电压存储电路，每组电压存储电路包括预存储电容和第一开关薄膜晶体管；第一开关薄膜晶体管的栅极、源极与上一行像素单元对应栅极扫描线相连、漏极与所述预存储电容的第一电极相连；所述每个像素单元还包括第二开关薄膜晶体管，第二开关薄膜晶体管的栅极与其所在像素单元对应的栅极扫描线相连、源极与同一行的所述预存储电容第一电极相连、漏极与其所在像素单元的像素电极相连，本实用新型实施例主要用在显示设备及其制作过程，如TFT阵列基板及其制造过程中。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板，包括栅极扫描线、数据扫描线，所述栅极扫描线和数据扫描线交叉界定出像素单元，并且每个像素单元中包括像素电极和像素薄膜晶体管，所述像素薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、源极与数据扫描线相连、漏极与像素电极相连；其特征在于：每行像素单元还包括至少一组电压存储电路，每组电压存储电路包括预存储电容和第一开关薄膜晶体管；所述第一开关薄膜晶体管的栅极、源极与上一行像素单元对应栅极扫描线相连、漏极与所述预存储电容的第一电极相连；所述每个像素单元还包括第二开关薄膜晶体管，所述第二开关薄膜晶体管的栅极与其所在像素单元对应的栅极扫描线相连、源极与同一行的所述预存储电容第一电极相连、漏极与其所在像素单元的像素电极相连。
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