[实用新型]TFT阵列基板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，包括栅极扫描线、数据扫描线，所述栅极扫描线和数据扫描线交叉界定出像素单元，并且每个像素单元中包括像素电极和像素薄膜晶体管，所述像素薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、源极与数据扫描线相连、漏极与像素电极相连；其特征在于：

每行像素单元还包括至少一组电压存储电路，每组电压存储电路包括预存储电容和第一开关薄膜晶体管；所述第一开关薄膜晶体管的栅极、源极与上一行像素单元对应栅极扫描线相连、漏极与所述预存储电容的第一电极相连；

所述每个像素单元还包括第二开关薄膜晶体管，所述第二开关薄膜晶体管的栅极与其所在像素单元对应的栅极扫描线相连、源极与同一行的所述预存储电容第一电极相连、漏极与其所在像素单元的像素电极相连。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二开关薄膜晶体管的漏极通过所述像素薄膜晶体管的漏极与其所在像素单元的像素电极相连；或者所述第二开关薄膜晶体管的漏极通过接触孔与其所在像素单元的像素电极相连。

3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于：

所述每行像素单元中至少两个像素单元对应一组所述电压存储电路，并且所述至少两个像素单元中的第二开关薄膜晶体管的源极与对应电压存储电路中的预存储电容第一电极相连；或者

所述每行像素单元中每个像素单元一组所述电压存储电路，并且所述每个像素单元中的第二开关薄膜晶体管的源极与其所在像素单元中电压存储电路的预存储电容第一电极相连。

4.根据权利要求1、2或3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一开关薄膜晶体管的栅极、以及所述第二开关薄膜晶体管的栅极与所述栅极扫描线在同一层上形成。

5.根据权利要求1、2或3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一开关薄膜晶体管的源极和漏极、以及所述第二开关薄膜晶体管的源极和漏极与所述数据扫描线在同一层上形成；并且所述第一开关薄膜晶体管的源极通过过孔与上一行像素单元对应栅极扫描线相连。

6.根据权利要求1、2或3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述预存储电容的第一电极与所述第一开关薄膜晶体管的漏极在同一层上形成；所述预存储电容的第二电极与像素电路的公共电极在同一层上形成，并且所述预存储电容的第二电极与像素电路的公共电极相连。