[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201110462213.2 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102543197A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 朱锡镇 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：页缓冲器，所述页缓冲器被配置成储存从存储器单元读取的数据；计数器电路，所述计数器电路被配置成在将读取操作重复执行设定的次数时对每个读取操作的读取数据中的第一数据或第二数据的数目进行计数；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置成基于计数数目来确定读取操作的数目并确定所述存储器单元的读取数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：页缓冲器，所述页缓冲器被配置成储存从存储器单元读取的数据；计数器电路，所述计数器电路被配置成在将读取操作重复执行设定的次数时对每个读取操作的读取数据中的第一数据或第二数据的数目进行计数；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置成基于计数数目来确定读取操作的数目并确定所述存储器单元的读取数据。
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