[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

页缓冲器，所述页缓冲器被配置成储存从存储器单元读取的数据；

计数器电路，所述计数器电路被配置成在将读取操作重复执行设定的次数时对每个读取操作的读取数据中的第一数据或第二数据的数目进行计数；以及

控制逻辑，所述控制逻辑被配置成基于计数数目来确定读取操作的数目并确定所述存储器单元的读取数据。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，如果所示计数数目大于设定值，则所述控制逻辑将所述存储器单元的所述读取数据确定为所述第一数据。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述计数器电路包括：

计数器，所述计数器被配置成响应于所述控制逻辑所产生的使能信号，对第一数据或第二数据的数目进行计数；以及

储存单元，所述储存单元被配置成储存所述计数数目。

4.一种半导体存储器件的数据读取方法，包括以下步骤：

响应于读取命令并利用第一读取电压，来对第一存储器单元重复执行读取操作设定的次数；

对重复执行读取操作时所读取的数据中的第一数据或第二数据的数目进行计数；以及

基于第一或第二数据的计数数目，来确定储存在所述存储器单元中的数据。

5.如权利要求4所述的数据读取方法，其中，确定储存在所述存储器单元中的数据的步骤包括以下步骤：

如果对第一数据的数目进行了计数，

将第一数据的计数数目与预定值进行比较，以及

如果所述第一数据的计数数目大于所述预定值，则将储存在所述存储器单元中的数据确定为所述第一数据。

6.如权利要求4所述的数据读取方法，其中，储存在所述存储器单元中的数据的步骤包括以下步骤：

如果对第二数据的数目进行了计数，

将第二数据的计数数目与预定值进行比较，以及

如果所述第二数据的计数数目大于所述预定值，则将储存在所述存储器单元中的数据确定为所述第二数据。

7.一种半导体存储器件的数据读取方法，包括以下步骤：

使用第一读取电压将读取操作重复执行设定的次数，以便读取储存在存储器单元中的最高有效位数据；

对每个读取操作的读取数据中的第一数据或第二数据的数目进行计数；以及

基于第一数据或第二数据的计数数目来确定第一读取数据。

8.如权利要求7所述的数据读取方法，还包括以下步骤：

在确定所述第一读取数据之后，

利用比所述第一读取电压高的第二读取电压，将读取操作执行设定的次数；

对每个读取操作的读取数据中的第一数据或第二数据的数目进行计数；

基于第一数据或第二数据的计数数目来确定第二读取数据；以及

基于所述第一读取数据和所述第二读取数据的组合来确定所述最高有效位数据。

9.如权利要求8所述的数据读取方法，其中，基于所述第一读取数据和所述第二读取数据的组合来确定所述最高有效位数据的步骤包括：如果所述第一读取数据是所述第一数据且所述第二读取数据是所述第二数据，则将所述最高有效位数据确定为所述第一数据。

10.如权利要求9所述的数据读取方法，其中，基于所述第一读取数据和所述第二读取数据的组合来确定所述最高有效位数据的步骤包括：如果所述第一读取数据是所述第一数据且所述第二读取数据与除了所述第二数据之外的数据相对应，则将所述最高有效位数据确定为所述第二数据。

11.如权利要求8所述的数据读取方法，还包括以下步骤：

在读取所述最高有效位数据之前，为了读取储存在所述存储器单元中的最低有效位数据，

利用比所述第一读取电压高而比所述第二读取电压低的第三读取电压，来将读取操作重复执行设定的次数；

对读取数据中的第一数据或第二数据的数目进行计数；以及

基于第一数据或第二数据的计数数目来确定所述最低有效位数据。