[发明专利]一种无金属残留碳纳米管的连续制备方法无效
| 申请号： | 201110460819.2 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102557006A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 徐向菊;黄少铭 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 温州瓯越专利代理有限公司 33211 | 代理人： | 王阿宝 |
| 地址： | 325000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无金属残留碳纳米管的连续制备方法，涉及碳纳米管的制备技术，属于纳米材料合成领域。本发明以易溶于有机溶剂的倍半硅氧烷为催化剂前驱体，有机溶剂为碳源，通过雾化法连续进样，生产碳纳米管。本发明提出以倍半硅氧烷为催化剂前驱体，是基于其可溶于有机溶剂且在高温下分解生成二氧化硅的特性。本发明操作简便，可宏量制备无金属残留的碳纳米管。本发明为碳纳米管的本征性能表征及应用奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 残留 纳米 连续 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无金属残留碳纳米管的连续制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）以倍半硅氧烷为催化剂前驱体，并将其溶于有机溶剂，制备包含倍半硅氧烷的溶液，所述的倍半硅氧烷为含有RSiO1.5结构的物质，其分子中O ：Si =1.5：1，R为取代基；（2）将溶液中倍半硅氧烷在700‑950℃温度条件下分解为纳米级SiO2，以纳米级SiO2为催化剂，有机溶剂为碳源制备碳纳米管。
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