[发明专利]一种混合线条的制造方法有效
申请号: | 201110460558.4 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103187247A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 唐波;闫江 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 朱海波 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种混合线条的制造方法,该方法包括以下步骤:在底层上依次形成材料层和硬掩模层;在所述硬掩膜层上形成光刻胶层,所述光刻胶层对光学曝光和电子束曝光都敏感,并分别利用光学曝光和电子束曝光对所述光刻胶层进行曝光,显影后形成第一光刻胶图形和电子束曝光胶图形,其中第一光刻胶图形通过光学曝光形成,电子束曝光胶图形通过电子束曝光形成;以所述第一光刻胶图形和电子束曝光胶图形为掩模,对所述硬掩模层刻蚀形成对应的第一硬掩模图形和第二硬掩模图形;以所述第一硬掩模图形和第二硬掩模图形为掩模,刻蚀所述材料层,形成第一线条和第二线条。本发明将同一层次图形按线条大小进行拆分,大线条用普通光学曝光,小线条用电子束曝光,在不影响图形质量的前提下大幅缩减曝光时间;采用特殊的光刻胶,只需涂布一次光刻胶即可实现普通光学曝光和电子束曝光。 | ||
搜索关键词: | 一种 混合 线条 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种混合线条的制造方法,该方法包括以下步骤:a)在底层(10)上依次形成材料层(20)和硬掩模层(30);b)在所述硬掩膜层(30)上形成光刻胶层(40),所述光刻胶层(40)对光学曝光和电子束曝光都敏感,并分别利用光学曝光和电子束曝光对所述光刻胶层(40)进行曝光,显影后形成第一光刻胶图形(40a)和电子束曝光胶图形(40b),其中第一光刻胶图形(40a)通过光学曝光形成,电子束曝光胶图形(40b)通过电子束曝光形成;c)以所述第一光刻胶图形(40a)和电子束曝光胶图形(40b)为掩模,对所述硬掩模层(30)刻蚀形成对应的第一硬掩模图形(30a)和第二硬掩模图形(30b);d)以所述第一硬掩模图形(30a)和第二硬掩模图形(30b)为掩模,刻蚀所述材料层(20),形成第一线条(20a)和第二线条(20b)。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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