[发明专利]一种混合线条的制造方法

权利要求书

1.一种混合线条的制造方法，该方法包括以下步骤：

a)在底层(10)上依次形成材料层(20)和硬掩模层(30)；

b)在所述硬掩膜层(30)上形成光刻胶层(40)，所述光刻胶层(40)对光学曝光和电子束曝光都敏感，并分别利用光学曝光和电子束曝光对所述光刻胶层(40)进行曝光，显影后形成第一光刻胶图形(40a)和电子束曝光胶图形(40b)，其中第一光刻胶图形(40a)通过光学曝光形成，电子束曝光胶图形(40b)通过电子束曝光形成；

c)以所述第一光刻胶图形(40a)和电子束曝光胶图形(40b)为掩模，对所述硬掩模层(30)刻蚀形成对应的第一硬掩模图形(30a)和第二硬掩模图形(30b)；

d)以所述第一硬掩模图形(30a)和第二硬掩模图形(30b)为掩模，刻蚀所述材料层(20)，形成第一线条(20a)和第二线条(20b)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中进行显影时，经过普通光学曝光后再经过电子束曝光的区域，光刻胶层(40)不会被去除。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一线条(20a)的线条宽度宽于第二线条(20b)的线条宽度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造方法，其中，所述第二线条(20b)的线条宽度小于20nm。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的制造方法，还包括：

根据待形成线条的尺寸，形成用于光学曝光的光刻掩模版(M1)和用于电子束曝光的电子束曝光图形(M2)。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中：

光学曝光的光源包括i线光源、g线光源、深紫外光源、X射线光源中的任意一种。

7.根据权利要求1、2、3或6所述的制造方法，其中：

所述光刻胶层(40)的材料为叠氮醌类化合物和AR-N 7500、AR-N7520、AR-N 7700、AR-N 7720中的一种或多种的混合胶型。

8.根据权利要求1、2、3或6所述的制造方法，还包括：

在所述底层(10)与所述材料层(20)之间形成垫层(11)。

9.根据权利要求1、2、3或6所述的制造方法，在所述步骤b)之后还包括：

图形检查和关键尺寸测量。

10.根据权利要求1、2、3或6所述的制造方法，其中，所述底层(10)的材料包括半导体或绝缘体。

11.根据权利要求1、2、3或6所述的制造方法，其中：

所述材料层(20)的材料包括金属、金属氮化物、单晶硅、多晶硅、氮化硅中的一种或其任意组合。

12.根据权利要求1、2、3或6所述的制造方法，其中：

所述硬掩膜层(30)包括LTO、PETEOS、PESIN中的一种或其任意组合。

13.根据权利要求1、2、3或6所述的制造方法，其中，各步刻蚀采用等离子体干法刻蚀。