[发明专利]MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110459388.8 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187273A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/265;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MOS晶体管及其制作方法，其中，MOS晶体管的制作方法包括：形成栅极；利用栅极为掩模进行垂直离子注入；形成侧墙；进行源漏离子注入形成源漏区；所述垂直离子注入形成的离子注入区位于源漏区底部和沟道区底部，呈台阶状分布，其中，位于所述沟道区底部的离子注入区高于位于所述源漏区底部的离子注入区。本发明在栅极形成好之后，栅极的侧墙形成好之前引入一步垂直离子注入，这一步离子注入以栅极为掩模，对半导体衬底进行特定射程和特定剂量的离子注入，改变沟道下方的衬底掺杂浓度，却对源漏区下方的衬底掺杂浓度改变比较小。这样，提高了晶体管的输出电阻，从而提高晶体管的增益。这样的方法对跨导和阈值电压的影响比较小，并且简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：形成栅极；利用栅极为掩模进行垂直离子注入；在栅极的两侧形成侧墙；进行源漏离子注入形成源漏区；所述垂直离子注入形成的离子注入区位于源漏区底部和沟道区底部，呈台阶状分布，其中，位于所述沟道区底部的离子注入区高于位于所述源漏区底部的离子注入区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110459388.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鳍式场效应晶体管及其形成方法
- 下一篇：一种经电气处理的变压器升高座手孔
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
