[发明专利]MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110459388.8 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187273A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/265;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
形成栅极；
利用栅极为掩模进行垂直离子注入；
在栅极的两侧形成侧墙；
进行源漏离子注入形成源漏区；
所述垂直离子注入形成的离子注入区位于源漏区底部和沟道区底部，呈台阶状分布，其中，位于所述沟道区底部的离子注入区高于位于所述源漏区底部的离子注入区。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述垂直离子注入的能量为80～220KeV，剂量为1.0E12～1.0E13atom/cm2。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述垂直离子注入的离子为：
对PMOS晶体管，注入离子为As、P中的一种；
对NMOS晶体管，注入离子为B、BF2、In中的一种。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在栅极形成好之后，垂直离子注入之前还包括轻掺杂漏离子注入和袋状离子注入。
5.一种MOS晶体管，其特征在于，包括：
栅极；
位于栅极下方的沟道区；
位于沟道两侧的源漏区；
位于沟道区与源漏底部的离子注入区，所述离子注入区位于所述沟道区底部的部分高于其位于源漏区底部的部分而呈台阶状。
6.如权利要求5所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管为PMOS晶体管，所述离子注入区的注入离子为As、P中的一种。
7.如权利要求5所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管为NMOS晶体管，所述离子注入区的注入离子为B、BF2、In中的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
