[发明专利]用于测试体寿命的硅片及其制作方法和体寿命测试方法有效
申请号: | 201110457747.6 | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN102522436A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 杨阳;李中兰 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/18;G01R31/26 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及硅片体寿命测试技术领域,特别是一种用于测试体寿命的硅片及其制作方法和体寿命测试方法。该用于测试体寿命的硅片,具有多个测试区域,每个测试区域的硅片厚度都不同。该硅片的制作方法:在同一硅片的表面的不同测试区域镀不同厚度的掩膜,然后在腐蚀液中腐蚀掩膜和硅片,直至掩膜全部被腐蚀。利用该硅片测试硅片体寿命的方法:将该硅片作为用于测试体寿命的硅片,然后测试不同区域的有效少子寿命和该区域的硅片厚度,利用变厚法公式得到硅片的体寿命。本发明的有益效果是:在同一块硅片上进行测试,便避免不同硅片之间的差异,得到绝对的体寿命Tau_bulk,节约成本。 | ||
搜索关键词: | 用于 测试 寿命 硅片 及其 制作方法 方法 | ||
【主权项】:
一种用于测试体寿命的硅片,其特征是:在同一片硅片的表面具有多个测试区域,每个测试区域的硅片厚度都不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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