[发明专利]具有可见光和近红外发光发射特性的ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al结构的制造方法无效
| 申请号： | 201110456171.1 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102509757A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;楼腾刚;胡炼 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 唐银益 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用单一尺寸量子点制备在可见光和近红外波段发光及能产生激光的器件结构及其制备方法，它以ITO为衬底，在衬底上生长ZnS，然后在ZnS薄膜上旋涂CdSe胶质量子点，再在量子点上生长ZnS薄膜和金属电极，通过光刻形成器件图形，最后封装在金属电极上引出导线。器件结构的发光波长位于450-850nm之间，基于量子点的表面缺陷态可以获得可见光和近红外光的发射，利用电激励使表面缺陷态能级粒子数反转而获得激光，它可用于LED白光照明和激光器件等。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可见 光和 红外 发光 发射 特性 ito zns cdse al 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有可见光和近红外发光发射特性的ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al结构的制造方法，其特征是：以ITO为衬底，在其上生长ZnS绝缘层，在ZnS上旋涂胶质CdSe量子点，再生长第二层ZnS绝缘层，沉积金属电极，光刻形成表面发射器件图形，在图形电极上封装引出导线，形成了量子点发光器件。
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