[发明专利]具有可见光和近红外发光发射特性的ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al结构的制造方法无效
| 申请号： | 201110456171.1 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102509757A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;楼腾刚;胡炼 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 唐银益 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 可见 光和 红外 发光 发射 特性 ito zns cdse al 结构 制造 方法 | ||
1.一种具有可见光和近红外发光发射特性的ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al结构的制造方法，其特征是：以ITO为衬底，在其上生长ZnS绝缘层，在ZnS上旋涂胶质CdSe量子点，再生长第二层ZnS绝缘层，沉积金属电极，光刻形成表面发射器件图形，在图形电极上封装引出导线，形成了量子点发光器件。
2.根据权利要求1所述的ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al结构的制造方法，具体步骤是：
(1)采用ITO基底；
(2)用蒸发技术或溅射技术生长第一层ZnS薄膜，其厚度为50～500nm；
(3)在ZnS薄膜上旋涂CdSe量子点，厚度为100-1000nm；
(4)用蒸发技术或溅射技术生长第二层ZnS薄膜，其厚度为50～500nm；
(5)用蒸发技术或溅射技术沉积金属薄膜电极，可以是Al，In，Au/Ti等；
(6)光刻形成电致发光器件图形；
(7)键合方法或导电胶方法引出金属引线，封装后测试。
3.权利要求2所述的ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al结构的制造方法，其特征在于，所述的量子点的厚度可以调整，使激光器的腔长可以改变。
4.一种根据权利要求1或2或3所述的ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al结构的制造方法所制得的结构，其特征是，所述的结构的发光波长在450-850nm之间，利用量子点的表面缺陷态能级获得发光；利用电激励使量子点的表面缺陷态能级反转能产生激光，激光的峰值可由腔长调节。
5.根据权利要求4所述的ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al结构，其特征在于，其可以作为LED照明使用或作为电致激光器件使用。
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