[发明专利]波长可调的可见电抽运随机激射器件及制备方法无效

专利信息
申请号: 201110456104.X 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN102545053A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 马向阳;田野;杨德仁 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01S5/30 分类号: H01S5/30
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种波长可调的可见电抽运随机激射器件及制备方法,该器件的制备方法包括:采用溅射法在衬底上沉积CdZnO薄膜,再在惰性气体气氛下进行快速热处理;采用溶胶-凝胶法在CdZnO薄膜上沉积SiO2薄膜;采用溅射法在SiO2薄膜上沉积半透明Au电极,在衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明以CdZnO薄膜为主要材料,同时在沉积CdZnO薄膜后对其进行快速热处理,制备得到了Au/SiO2/CdZnO MIS结构的电抽运随机激射器件。该器件在一定的正向偏压下能够发出位于可见区的电抽运随机激射;且根据不同的快速热处理温度,其随机激射带的中心波长在485nm~430nm范围内可调节。本发明器件的结构和实现方式简单,制备工艺及所用的设备与现行成熟的硅器件工艺兼容。
搜索关键词: 波长 可调 可见 抽运 随机 器件 制备 方法
【主权项】:
一种电抽运随机激射器件的制备方法,包括:(1)采用溅射法在衬底上沉积CdZnO薄膜,再在惰性气体气氛下进行快速热处理;(2)采用溶胶‑凝胶法在CdZnO薄膜上沉积SiO2薄膜;(3)采用溅射法在SiO2薄膜上沉积半透明Au电极,在衬底背面沉积欧姆接触电极。
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