[发明专利]波长可调的可见电抽运随机激射器件及制备方法无效
申请号: | 201110456104.X | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN102545053A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 马向阳;田野;杨德仁 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01S5/30 | 分类号: | H01S5/30 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波长 可调 可见 抽运 随机 器件 制备 方法 | ||
1.一种电抽运随机激射器件的制备方法,包括:
(1)采用溅射法在衬底上沉积CdZnO薄膜,再在惰性气体气氛下进行快速热处理;
(2)采用溶胶-凝胶法在CdZnO薄膜上沉积SiO2薄膜;
(3)采用溅射法在SiO2薄膜上沉积半透明Au电极,在衬底背面沉积欧姆接触电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的衬底为电阻率为0.005~50欧姆·厘米的N型硅片。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述衬底的温度为400~700℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,沉积CdZnO薄膜所用的靶材为CdZnO陶瓷靶,CdZnO陶瓷靶中Cd掺杂量以摩尔含量计为20%。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的惰性气体为氩气或氮气。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述快速热处理的温度为800~900℃,快速热处理的时间为1~200秒。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,沉积SiO2薄膜后进行加热处理,加热处理温度为300~400℃,加热处理时间为1~2小时。
8.一种采用如权利要求1-7任一所述的制备方法制得的电抽运随机激射器件。
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