[发明专利]具有电流阻挡层的发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201110452364.X | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102522472A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 黄少华;吴志强 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制作方法。本发明采用等离子蚀刻法局部蚀刻发光外延结构表面的半导体导电层，其轰击气体不加入惰性气体，从而使发光外延结构表层产生一薄型的非挥发生成物，而此生成物与发光外延结构表面的半导体导电层形成肖特基接触，从而产生局部电流阻障的特性结构。本发明能够将电流导入有效的发光复合区，解决因电极设计而导致的遮光问题，并且避免了使用绝缘层作为电流阻挡结构所产生的高低差及附着性不良的失效问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 阻挡 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
具有电流阻挡层的发光二极管，包括：一基板；一发光外延结构位于基板之上，其由上而下包括第一半导体层，有源层及第二半导体层；一肖特基接触层分布在第一半导体层，其材料为GaFX，GaClX中的一种或其组合。
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