[发明专利]具有电流阻挡层的发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.具有电流阻挡层的发光二极管，包括：

一基板；

一发光外延结构位于基板之上，其由上而下包括第一半导体层，有源层及第二半导体层；

一肖特基接触层分布在第一半导体层，其材料为GaF_X，GaCl_X中的一种或其组合。

2.根据权利要求1所述的具有电流阻挡层的发光二极管，其特征在于：还包括一形成于欧姆接触层之上的第一电极，第一电极的位置与所述肖特其接触层的位置对应。

3.根据权利要求1或2所述的具有电流阻挡层的发光二极管，其特征在于：所述肖特基接触层的顶面与第一半导体层的顶面齐平。

4.具有电流阻挡层的发光二极管，包括：

一基板；

一发光外延结构位于基板之上，其由上而下包括第一半导体层，有源层及第二半导体层；

一肖特基接触层，分布在第一半导体层，且顶面与第一半导体层的顶面齐平。

5.根据权利要求4所述的具有电流阻挡层的发光二极管，其特征在于：所述肖特基接触层的材料为GaF_x，GaCl_x中的一种或其组合。

6.根据权利要求4或5所述的具有电流阻挡层的发光二极管，其特征在于：还包括一形成于欧姆接触层之上的第一电极，第一电极的位置与所述肖特其接触层的位置对应。

7.具有电流阻挡层的发光二极管的制作方法，包括如下步骤：

提供一生长衬底；

在生长衬底的正面上形成发光外延结构, 其由下而上包含第二半导体层、有源层以及第一半导体层；

在第一半导体层表面上定义肖特基接触区；

采用等离子蚀刻第一半导体层的肖特基接触区，形成肖特基生成层。

8.根据权利要求7所述的具有电流阻挡层的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述等离子蚀刻中使用的物理轰击气体未含有惰性Ar气体。

9.根据权利要求7或8所述的具有电流阻挡层的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述等离子蚀刻中使用的物理轰击气体为SF₆, CF₄, CHF₃, Cl₂, BCl₃中的一种或其组合。

10.根据权利要求7或8或9所述的具有电流阻挡层的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述形成的肖特基接触层的材料为GaF_x，GaCl_x。

11.具有电流阻挡层的发光二极管芯片的制作方法，包括如下步骤：

提供一生长衬底；

在生长衬底的正面上形成发光外延结构, 其由下而上包含第二半导体层、有源层以及第一半导体层；

在第一半导体层表面上定义肖特基接触区；

采用等离子蚀刻第一半导体层的肖特基接触区，形成肖特基接触层；

在第一半导体层表面定义第二电极区，蚀刻第二电极区形成台阶至第二半导体层并裸露出第二半导体层；

形成一透明导电层于第一半导体上；

形成一保护层于第一半导体层与第二电极间的台阶；

形成第一电极于透明导电层上，形成第二电极于保护层上并跨接至裸露的第二半导体层上。

12.根据权利要求11所述的具有电流阻挡层的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述肖特其接触层的位置与前述的第一、第二电极的位置对应。

13.根据权利要求11所述的具有电流阻挡层的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述等离子蚀刻中使用的物理轰击气体未含有惰性Ar气体。

14.根据权利要求11所述的具有电流阻挡层的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述等离子蚀刻中使用的物理轰击气体为SF₆, CF₄, CHF₃, Cl₂, BCl₃中的一种或其组合。

15.根据权利要求11所述的具有电流阻挡层的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：其特征在于：所述形成的肖特基接触层的材料为GaF_x，GaCl_x。