[发明专利]磷酸二氢钾孪晶的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110449814.X 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN102433584A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 刘志坤;王燕;刘琦;庞宛文;白丽华;张惠芳 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C30B7/08 分类号: C30B7/08;C30B29/14
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)的结合制得孪晶的方法,它主要是采用晶体抛光后再进行热处理,通过分子扩散使两块大小相同晶体结合的方法,属无机晶体材料制备工艺技术领域。本发明方法主要过程如下:将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶,剩下部分切取两段,按既定角度方向粗磨,然后用细砂纸磨掉多余分部分,磨成长方体形状,将欲对接的两个面抛光并相对接;然后将处理好的两块晶体(提供一定的压强)放进炉中进行适当的加热;最后适当的时间取出晶体,并且两块晶体结合在一起,两光轴成一定的角度。然后采用磷酸二氢钾(KDP)饱和溶液降温法来制得磷酸二钾孪晶。
搜索关键词: 磷酸 二氢钾孪晶 制备 方法
【主权项】:
一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法,主要采用抛光后再进行热处理,使两块磷酸二氢钾(KDP)晶体粘合,以粘合后的两块磷酸二氢钾晶体作为籽晶,然后采用水溶液降温法来制得孪晶;其特征在于该方法的具体步骤为:    a. 将一块外形完整的磷酸二氢钾(KDP)晶体切掉两锥顶,剩下的部分切取两段,用细砂纸将这两段晶体按一定角度方向粗磨,再用细砂纸磨去多余的晶体,使晶体成长方体形状,再对欲结合的两个面进行细磨,最后两段晶体应磨成大小相同且能够完全重合;    b. 对晶体进行抛光,用颗粒度W2.5的金刚石研磨膏在0.22微米的混合纤维素微孔滤膜上抛光,待表面没有任何划痕时,用无水乙醇作润滑剂和清洗剂在微孔滤膜上再一次抛光,直到在灯光下观察时,没有任何划痕;    c. 将晶体的两个抛光面对应重合,上面施加一定的压强,最后放入刚玉方舟中;    d. 轻轻将载有磷酸二氢钾(KDP)晶体的刚玉方舟放入真空管式炉中,未加热前,炉子中的环境是自然环境,即一个标准大气压,温度为室温;炉子的加热条件设置成:    以0.10~0.20°C/min的升温速率,由室温升至180~190°C,再保温合适的时间,一般大于1880分钟,最后以0.10~0.25°C/min的降温速度降至室温;    e. 待炉子完成加热时,小心取出刚玉方舟;最终两块KDP晶体结合在一起,并且两光轴成一定角度;    f. 把已结合的磷酸二氢钾晶体进行粗磨,磨成一圆柱形,套入软橡胶管中并且露出一定长度的晶体,然后将露出的晶体细磨成一截顶圆锥形,然后用颗粒度W2.5的金刚石研磨膏在0.22微米的混合纤维素微孔滤膜上抛光,待表面没有任何划痕时,用酒精清洗干净;    g. 配制好磷酸二氢钾(KDP)饱和溶液,溶质KDP为分析纯经过一次重结晶的提纯产品,溶剂为三次蒸馏水;先用0.22微米微孔滤膜过滤溶液,然后测出KDP溶液饱和温度;再加热该溶液至原饱和温度之上15℃的温度,在该温度下预热48小时;然后将溶液温度下降到高出原饱和温度5℃的温度;    h. 把套有磷酸二氢钾(KDP)的籽晶放入溶液中,等放入的籽晶稍溶解后,将溶液温度下降到测定的饱和温度,并按设计的程序降温,使晶体在溶液中良好生长;最后取出晶体,用过滤纸吸干晶体表面的溶液,最终制得两光轴成一定角度的磷酸二氢钾孪晶。
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