[发明专利]制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，其上形成有第一伪栅极、第二伪栅极和层间介电层；去除第一伪栅极以形成第一填充开口；在层间介电层和第二伪栅极上以及第一填充开口内形成第一功函数层、第一碳基材料层和盖层；去除第二伪栅极上的各种材料层；在剩余的第一功函数层、第一碳基材料层和盖层的侧面形成侧壁；去除第二伪栅极以形成第二填充开口；在第二填充开口内以及层间介电层、侧壁和剩余的盖层上形成第二功函数层和第二碳基材料层；执行平坦化工艺以至少去除剩余的盖层；去除第一碳基材料层和第二碳基材料层以形成第一开口和第二开口；在第一开口和第二开口内填充栅极材料层以分别形成N型金属栅极和P型金属栅极。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一伪栅极和第二伪栅极以及包围所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的层间介电层；b)去除所述第一伪栅极，以形成第一填充开口；c)在所述层间介电层和所述第二伪栅极上以及所述第一填充开口内依次形成第一功函数层、第一碳基材料层和盖层，其中，所述第一功函数层填充所述第一填充开口的一部分，所述第一碳基材料层填充所述第一填充开口的其余部分；d)去除所述第二伪栅极上的所述第一功函数层、所述第一碳基材料层和所述盖层；e)在剩余的所述第一功函数层、所述第一碳基材料层和所述盖层的侧面形成侧壁；f)去除所述第二伪栅极，以形成第二填充开口；g)在所述第二填充开口内以及所述层间介电层、所述侧壁和剩余的所述盖层上依次形成第二功函数层和第二碳基材料层；h)执行平坦化工艺，以至少去除剩余的所述盖层；i)去除剩余的所述第一碳基材料层和所述第二碳基材料层，以形成第一开口和第二开口；以及j)在所述第一开口和所述第二开口内填充栅极材料层，以分别形成N型金属栅极和P型金属栅极。