[发明专利]光伏电池及其制备方法无效
申请号: | 201110445331.2 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102496646A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 孟飞;任伟男;李晨 | 申请(专利权)人: | 普乐新能源(蚌埠)有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/20 |
代理公司: | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 | 代理人: | 王琪;白京萍 |
地址: | 233030 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种光伏电池及其制备方法。本电池由上侧沉积有导电膜的玻璃、功能层、背电极层自下而上依次层叠而成,功能层包括自下而上依次层叠布置的P层、I层、N层,P层与导电膜接触,N层与背电极层接触,背电极层的厚度为1000~1500埃,I层的材料为非晶锗硅,其能隙为1.3~1.8ev。所述P层的材料为掺碳非晶硅,其能隙为1.7~1.9ev,P层的厚度小于或等于100埃。所述N层的能隙为1.7~1.8ev,N层的厚度小于或等于300埃。本电池的光吸收性能较佳,可充分吸收太阳光发电,发电效率较高。本电池的制备方法包括在上侧沉积有导电膜的玻璃上沉积P层、沉积I层、沉积N层、沉积背电极层各步骤。本方法工艺简单,使用设备少,便于工业化推广。 | ||
搜索关键词: | 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
光伏电池,由上侧沉积有导电膜的玻璃、功能层、背电极层自下而上依次层叠而成,功能层包括自下而上依次层叠布置的P层、I层、N层,P层与导电膜接触,N层与背电极层接触,背电极层的厚度为1000~1500埃,其特征在于:I层的材料为非晶锗硅,其能隙为1.3 ~ 1.8 ev。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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