[发明专利]光伏电池及其制备方法无效
申请号: | 201110445331.2 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102496646A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 孟飞;任伟男;李晨 | 申请(专利权)人: | 普乐新能源(蚌埠)有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/20 |
代理公司: | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 | 代理人: | 王琪;白京萍 |
地址: | 233030 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 及其 制备 方法 | ||
1.光伏电池,由上侧沉积有导电膜的玻璃、功能层、背电极层自下而上依次层叠而成,功能层包括自下而上依次层叠布置的P层、I层、N层,P层与导电膜接触,N层与背电极层接触,背电极层的厚度为1000~1500埃,其特征在于:I层的材料为非晶锗硅,其能隙为1.3 ~ 1.8 ev。
2.根据权利要求1所述的光伏电池,其特征在于:P层的材料为掺碳非晶硅,其能隙为1.7 ~ 1.9 ev,P层的厚度小于或等于100埃。
3.根据权利要求2所述的光伏电池,其特征在于:N层的能隙为1.7~1.8ev,N层的厚度小于或等于300埃。
4.权利要求3所述光伏电池的制备方法,该方法包括如下步骤:
1)在上侧沉积有导电膜的玻璃上利用射频等离子体增强型化学气相沉积工艺沉积P层,P层的材料为掺碳非晶硅,其能隙为1.7~1.9 ev,其厚度小于或等于100埃;
2)利用射频等离子体增强型化学气相沉积工艺,在1)中的P层上沉积I层,I层的材料为非晶锗硅,其能隙为1.7~1.8 ev;
3)利用射频等离子体增强型化学气相沉积工艺,在2)中的I层上沉积N层,N层的能隙为1.7~1.8 ev,其N层的厚度小于或等于300埃;
4)利用磁控溅射工艺,在3)中的N层上沉积背电极层,背电极层的厚度为1000~1500埃,得到本光伏电池。
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